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大容量強誘電体メモリの実現に向けた原子レベル平坦化Ptエピタキシャル膜の作製

大容量強誘電体メモリの実現に向けた原子レベル平坦化Ptエピタキシャル膜の作製

ダイヨウリョウ キョウユウデンタイ メモリ ノ ジツゲン ニ ムケタ ゲンシ レベル ヘイタン カ Pt エピタキシャル マク ノ サクセイ

旭健史郎

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R008463

2

  • [MS]2011(1)

Restricted

Details

Publication year

2011

Alternative title

Fabrication of atomically flat Pt epitaxial film for ferroelectric memory with large capacitance

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月

Note

学位記番号: 修第5133号

学位授与年月日: 2011/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0931001

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

旭, 健史郎 (アサヒ, ケンシロウ)

Subject

強誘電体

メモリ

Pt

エピタキシャル

Al2O3

原子