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シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価

シリコンカーバイドの絶縁ゲート型電界効果トランジスタに対するアンモニアプラズマ前処理と界面電子物性評価

シリコン カーバイド ノ ゼツエン ゲートガタ デンカイ コウカ トランジスタ ニ タイスル アンモニア プラズマ マエショリ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ

岩崎吉記

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007798

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R007856

Details

Publication year

2010

Alternative title

Control and analysis of interface properties in insulator/SiC structures by NH3 plasma pretreatment

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 博第941号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0741001

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

岩崎, 吉記 (イワサキ, ヨシノリ)

Subject

SiC

MOS

C-V

XPS

IPE