シリコン カーバイド ノ ゼツエン ゲートガタ デンカイ コウカ トランジスタ ニ タイスル アンモニア プラズマ マエショリ ト カイメン デンシ ブッセイ ヒョウカ
岩崎吉記
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3
Thesis / Diss.
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R007798 |
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R007856 |
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2010
Control and analysis of interface properties in insulator/SiC structures by NH3 plasma pretreatment
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2010年3月
学位記番号: 博第941号
学位授与年月日: 2010/03/24
学位の種類: 博士(工学)
学生番号: 0741001
Japan
Japanese (jpn)
Japanese (jpn)
岩崎, 吉記 (イワサキ, ヨシノリ)
