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スピンデバイスに向けたInAlGaAs量子井戸の作製

スピンデバイスに向けたInAlGaAs量子井戸の作製

スピン デバイス ニ ムケタ InAlGaAs リョウシ イド ノ サクセイ

安田祐介

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007736

2

  • [MS]2010(17)

Restricted

Details

Publication year

2010

Alternative title

Fabrication of InAlGaAs quantum wells for spin devices

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 修第4871号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831090

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

安田, 祐介 (ヤスダ, ユウスケ)

Subject

分子線エピタキシー

InP(100)基板

InGaAs/InAlAs

量子井戸

深い準位

電子スピン緩和