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1.55μm帯偏光双安定VCSELを用いた光バッファメモリの高性能化

1.55μm帯偏光双安定VCSELを用いた光バッファメモリの高性能化

1.55μmタイ ヘンコウソウ アンテイ VCSEL オ モチイタ ヒカリ バッファ メモリ ノ コウセイノウカ

尾藤直樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007718

2

  • [MS]2010(13)

Restricted

Details

Publication year

2010

Alternative title

Improvement of Optical Buffer Memory Using 1.55μm Polarization Bistable Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 修第4853号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831068

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

尾藤, 直樹 (ビトウ, ナオキ)

Subject

面発光半導体レーザ

偏光双安定特性

光バッファメモリ

シフトレジスタ動作

NRZ信号

高速光メモリ