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微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間

微傾斜GaAs(110)基板上多重量子井戸における電子スピン緩和時間

ビケイシャ GaAs(110) キバンジョウ タジュウ リョウシ イド ニ オケル デンシ スピン カンワ ジカン

中西慧

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007710

2

  • [MS]2010(11)

Restricted

Details

Publication year

2010

Alternative title

Electron Spin Relaxation Times in Multiple-quantum-wells Grown on Vicinal GaAs(110) Substrates

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 修第4845号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831059

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

中西, 慧 (ナカニシ, アキラ)

Subject

電子スピン緩和時間

GaAs(110)基板

量子井戸

分子線エピタキシー

D’yakonov Perel緩和機構

微傾斜基板