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原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の低温形成とデバイス応用

原子層堆積法による酸化亜鉛薄膜の低温形成とデバイス応用

ゲンシソウ タイセキホウ ニヨル サンカ アエン ハクマク ノ テイオン ケイセイ ト デバイス オウヨウ

川村悠実

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R007682

2

  • [MS]2010(7)

Restricted

Details

Publication year

2010

Alternative title

Low-temperature preparation of ZnO thin films by atomic layer deposition for the application to electrical devices

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

Note

学位記番号: 修第4817号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831029

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

川村, 悠実 (カワムラ, ユミ)

Subject

原子層堆積法

酸化物半導体

酸化亜鉛

薄膜トランジスタ

フレキシブルディスプレイ

ALD