• Top
  • Details (Local collection)
高誘電率ゲート絶縁膜を利用したバイオ系ナノドット型フローティングゲートメモリ

高誘電率ゲート絶縁膜を利用したバイオ系ナノドット型フローティングゲートメモリ

コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク オ リヨウシタ バイオケイ ナノ ドットガタ フローティング ゲート メモリ

小原孝介

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006893

2

  • [MS]2009(4)

Restricted

Details

Publication year

2009

Alternative title

Floating Gate Memory Based on Bio Nanodots with High-k Gate Dielectrics

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

Note

学位記番号: 修第4465号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731021

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

小原, 孝介 (オハラ, コウスケ)

Subject

フローティングゲートメモリ

High-k

バイオナノプロセス

フェリチン