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ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究

ナノドットを電荷保持ノードとする薄膜トランジスタ型不揮発性メモリの研究

ナノ ドット オ デンカ ホジ ノード ト スル ハクマク トランジスタガタ フキハツセイ メモリ ノ ケンキュウ

市川和典

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2008.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R006245

2

  • [MS]2008

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R006304

Details

Publication year

2008

Alternative title

Investigation of thin film transistor typed nonvolatile memory with nano dot

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2008年3月

Note

学位記番号: 博第768号

報告番号: 甲第768号

学位授与年月日: 2008/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0541001

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

市川, 和典 (イチカワ, カズノリ)

Subject

薄膜トランジスタ

ナノドット

フラッシュメモリ

不揮発性メモリ

フェリチン

システムオンパネル