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電子線誘起電流法によるシリコンカーバイド転位欠陥の三次元的非破壊評価

電子線誘起電流法によるシリコンカーバイド転位欠陥の三次元的非破壊評価

デンシセン ユウキ デンリュウホウ ニヨル シリコンカーバイド テンイ ケッカン ノ サンジゲンテキ ヒハカイ ヒョウカ

柳澤佑輝

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R004065

2

  • [MS]2006(16)

Restricted

Details

Publication year

2006

Alternative title

3-Dimensional non-destructive dislocation analyses in SiC measured by electron-beam-induced current method

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月

Note

学位記番号: 修第3479号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0431085

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

柳澤, 佑輝 (ヤナギサワ, ユウキ)

Subject

SiC

転位

欠陥評価

エピタキシャル層

EBIC法