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反応性末端基Si-Hを利用した剛直性ポリシランによる金属 : 半導体高分子構造のワンポット作製

反応性末端基Si-Hを利用した剛直性ポリシランによる金属 : 半導体高分子構造のワンポット作製

ハンノウセイ マッタンキ Si-H オ リヨウシタ ゴウチョクセイ ポリシラン ニヨル キンゾク : ハンドウタイ コウブンシ コウゾウ ノ ワンポット サクセイ

久保田智文

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 1
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R004048

2

  • [MS]2006(5)

Restricted

Details

Publication year

2006

Alternative title

One-pot fabrication of Metal-Semiconducting polymer junction based on rod-like polysilane with reactive Si-H termini

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2006年3月

Note

学位記番号: 修第3424号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0431026

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

久保田, 智文 (クボタ, トモフミ)

Subject

polysilane

junction

wet process

gold

Si-H