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低温プロセスにおけるナノサイズシリコン成長メカニズムの研究

低温プロセスにおけるナノサイズシリコン成長メカニズムの研究

テイオン プロセス ニオケル ナノ サイズ シリコン セイチョウ メカニズム ノ ケンキュウ

桐村浩哉

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R003628

2

  • [MS]2005

Restricted

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R004837

Details

Publication year

2005

Alternative title

A Study of Nano-size Silicon Growth at Low Temperature

Series title

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年3月

Note

学位記番号: 博第505号

報告番号: 甲第505号

授与年月日: 2005/03/24

学位の種類: 博士(理学)

学生番号: 0441005

Country of publication

Japan

Title language

Japanese (jpn)

Language of texts

Japanese (jpn)

Author information

桐村, 浩哉 (キリムラ, ヒロヤ)

Subject

シリコン

低温

結晶核

結晶成長

プラズマ

フェリチンタンパク質