内容紹介

原子層堆積法(Atomic layer deposition : ALD)は、オングストロームオーダーでの成長速度による原子膜設計、 比較的低温度(室温～300℃)成長及び表面反応律速による3次元構造への均質膜を形成できる特徴を有しており、 現在、広く半導体デバイスの量産システムにも使われております。今回はALD法による膜形成において、 重要な因子である成長温度及び下地基板材料が膜の成長メカニズムを及ぼす影響について説明します。また、NIMSで研究を進めているALD法を用いたInOx系チャネルの薄膜トランジスタ、GaNパワーデバイス用高誘電率絶縁膜及び(Hf/Zr)O2強誘電体薄膜について説明します。

詳細情報

刊年

2020

形態

電子化映像資料(1時間23分45秒)

シリーズ名

光ナノサイエンス特別講義 ; 2020年度

注記

講演者所属:国立研究開発法人　物質・材料研究機構

講演日: 2020年7月6日

講演場所: 物質創成科学棟大講義室

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

生田目, 俊秀 (ナバタメ, トシヒデ)