水素含有絶縁膜による低リーク電流ダイヤモンド半導体素子の研究

水素含有絶縁膜による低リーク電流ダイヤモンド半導体素子の研究

スイソ ガンユウ ゼツエンマク ニ ヨル テイリーク デンリュウ ダイヤモンド ハンドウタイ ソシ ノ ケンキュウ

宮越雄太

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2019.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R015661

2

  • [MS]2018(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2019

別書名

Low leakage current diamond semiconductor devices with hydrogen-containing insulating film

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2019年3月

注記

学位記番号: 修第7967号

学位授与年月日: 2019/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

宮越, 雄太 (ミヤゴシ, ユウタ)

件名

ダイヤモンド

Al2O3

パワーデバイス

ALD

DMAH