酸化物半導体薄膜トランジスタの発熱・発光と劣化現象との関係

酸化物半導体薄膜トランジスタの発熱・発光と劣化現象との関係

サンカブツ ハンドウタイ ハクマク トランジスタ ノ ハツネツ ハッコウ ト レッカ ゲンショウ ト ノ カンケイ

木瀬香保利

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2018.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R014296

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R014378

詳細情報

刊年

2018

別書名

Thermal and emission analysis in oxide semiconductor thin film transistor

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2018年3月

注記

学位記番号: 博第1543号

報告番号: 甲第1543号

学位授与年月日: 2018/03/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1541008

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

木瀬, 香保利 (キセ, カホリ)

件名

酸化物半導体

薄膜トランジスタ

自己発熱

発光現象