Le Thi Hai Yen
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2015.3
1
R011541
R011580
2015
光によって励起された半導体におけるテラヘルツ光吸収スペクトルの密度依存性
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2015年3月
学位記番号: 博第1279号
報告番号: 甲第1279号
学位授与年月日: 2015/03/24
学位の種類: 博士(理学)
学生番号: 1241017
英語 (eng)
terahertz
exciton
Mott transition
absorption spectra
density dependence
semiconductor
terahertzexcitonMott transitionabsorption spectradensity dependencesemiconductor