SOIの薄膜化プロセス及び角度分解光電子分光によるSOI表面の電子状態の研究

SOIの薄膜化プロセス及び角度分解光電子分光によるSOI表面の電子状態の研究

SOI ノ ハクマクカ プロセス オヨビ カクド ブンカイ コウデンシ ブンコウ ニ ヨル SOI ヒョウメン ノ デンシ ジョウタイ ノ ケンキュウ

小久井一樹

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2014.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R011005

2

  • [MS]2014(6)

禁帯出

詳細情報

刊年

2014

別書名

The thinning process and attempt to measure electronic states of Silicon On Insulator by Angle Resolved Photoelectron Spectroscopy

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2014年3月

注記

学位記番号: 修第6186号

学位授与年月日: 2014/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1231034

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

小久井, 一樹 (コクイ, カズキ)

件名

SOI

膜厚制御

ARPES

バンド分散