内容紹介

電界効果トランジスタは、通常、絶縁体の材料として、固体を使うのが、半導体の世界では常識であるが、これを覆し、固体絶縁体の代わりに電解質を使ってトランジスタの作製を行っている。電解質に数V程度の電圧を印加するだけで、電気化学的界面には通常の固体絶縁体では実現できないような超高電界が発生する。我々は、この電解質の作り出す超強電界を利用した電界効果トランジスタ構造を用いることで、１）多彩な材料に関して高密度キャリア注入を行い、電子相関由来の新しい二次元電子系を利用した新規デバイス、２）電界を印加するだけで磁化をダイレクトに制御する磁化スイッチ、３）高密度に電荷を注入することを利用した新しい発光デバイスの３つの項目についての研究を行っており、現在の進捗について紹介を行う。

詳細情報

刊年

2013

形態

60p

シリーズ名

講義・講演レジュメ ; 平成25年度

光ナノサイエンス特別講義 ; 平成25年度

注記

講演者所属: 電力中央研究所 材料科学研究所 主任研究員

講演日: 平成25年6月28日3限

講演場所: 物質創成科学研究科大講義室

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

小野, 新平 (オノ, シンペイ)