酸化膜/(11-20)面シリコンカーバイド界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果

酸化膜/(11-20)面シリコンカーバイド界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果

サンカ マク/(11-20)メン シリコン カーバイド カイメン エノ リン ドウニュウ ニ ヨル カイメン ジュンイ ミツド ノ テイゲン コウカ

梅澤奈央

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2013.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009911

2

  • [MS]2013(2)

禁帯出

詳細情報

刊年

2013

別書名

Effects of phosphorus incorporation into SiO2/SiC interface on electrical properties of MOS capacitors fabricated on 4H-SiC(11-20)

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2013年3月

注記

学位記番号: 修第5813号

学位授与年月日: 2013/3/22

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1131011

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

梅澤, 奈央 (ウメザワ, ナオ)

件名

シリコンカーバイド

MOS

(11-20)面

オキシ塩化リン

堆積膜

界面準位密度