電流注入型GaAs (110) 面発光半導体レーザに向けた結晶成長とデバイス作製

電流注入型GaAs (110) 面発光半導体レーザに向けた結晶成長とデバイス作製

デンリュウ チュウニュウガタ GaAs(110) メンハッコウ ハンドウタイ レーザ ニ ムケタ ケッショウ セイチョウ ト デバイス サクセイ

安田千水

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009262

2

  • [MS]2012(14)

禁帯出

詳細情報

刊年

2012

別書名

Crystal growth and fabrication of Electrically driven vertical-cavity surface-emitting lasers on GaAs(110)

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 修第5543号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031088

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

安田, 千水 (ヤスダ, センスイ)

件名

GaAs(110)基板

分子線エピタキシー

面発光半導体レーザ

光機能素子

スピントロニクス

半導体量子井戸