酸化膜 : (11-20)面シリコンカーバイド界面へのリン導入効果 および縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタへの応用

酸化膜 : (11-20)面シリコンカーバイド界面へのリン導入効果 および縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタへの応用

サンカ マク : (11-20)メン シリコン カーバイド カイメン エノ リン ドウニュウ コウカ オヨビ タテガタ ゼツエン ゲート デンカイ コウカ トランジスタ エノ オウヨウ

新宮剣太

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R009218

2

  • [MS]2012(7)

禁帯出

詳細情報

刊年

2012

別書名

Effect of POCl3 annealing on (11-20)face SiO2 : SiC interface properties and introduction for trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月

注記

学位記番号: 修第5499号

学位授与年月日: 2012/3/23

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 1031040

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

新宮, 剣太 (シングウ, ケンタ)

件名

シリコンカーバイド

電界効果トランジスタ

MOSFET

オキシ塩化リン

トレンチ