チッソ ト リン オ ゲート サンカマク カイメン エ ドウニュウシタ シリコン カーバイド デンカイ コウカ トランジスタ ノ デンキ トクセイ カイゼン
荒岡幹
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2012.3
1
R009185
2
禁帯出
2012
Improvement of SiC MOSFET characteristic by introduced nitrogen and phosphorus
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2012年3月
学位記番号: 修第5466号
学位授与年月日: 2012/3/23
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 1031005
日本語 (jpn)
荒岡, 幹 (アラオカ, ツヨシ)
SiC
シリコンカーバイド
MOS界面
POCl3
NO
SiCシリコンカーバイドMOS界面POCl3NO
