キバン ケイシャカク ノ コトナル シリコン カーバイド オ モチイタ タテガタ ゼツエン ゲート デンカイ コウカ トランジスタ ノ サクセイ ト ヒョウカ
上岡義弘
生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2011.3
1
R008470
2
禁帯出
2011
Fabrication and evaluation of SiC trench MOSFETs on different off-axis substrates
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2011年3月
学位記番号: 修第5141号
学位授与年月日: 2011/03/24
学位の種類: 修士(工学)
学生番号: 0931010
日本語 (jpn)
上岡, 義弘 (ウエオカ, ヨシヒロ)
SiC
MOSFET
炭化ケイ素
トレンチ
オフ角
移動度
SiCMOSFET炭化ケイ素トレンチオフ角移動度
