GaAs/AlGaAs(110)量子井戸のナノピラー作製とキャリア寿命・電子スピン緩和時間の評価

GaAs/AlGaAs(110)量子井戸のナノピラー作製とキャリア寿命・電子スピン緩和時間の評価

GaAs/AlGaAs(110) リョウシ イド ノ ナノ ピラー サクセイ ト キャリア ジュミョウ デンシ スピン カンワ ジカン ノ ヒョウカ

西崎仁貴

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007714

2

  • [MS]2010(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Fabrication of GaAs/AlGaAs(110) quantum well nano-pillar and evaluation of carrier lifetime and spin relaxation time

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4849号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831063

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

西崎, 仁貴 (ニシザキ, ヨシタカ)

件名

ドライエッチング

キャリア寿命

電子スピン緩和時間

GaAs (110)基板上量子井戸

ECR-RIBE