シリコンカーバイド表面のぬれ性改質が半導体ヘテロ界面特性に及ぼす影響

シリコンカーバイド表面のぬれ性改質が半導体ヘテロ界面特性に及ぼす影響

シリコン カーバイド ヒョウメン ノ ヌレセイ カイシツ ガ ハンドウタイ ヘテロ カイメン トクセイ ニ オヨボス エイキョウ

鈴木啓之

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007701

2

  • [MS]2010(10)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Evaluation of silicon carbide hetero-interface properties by modification of surface wettability

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4836号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831049

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

鈴木, 啓之 (スズキ, ヒロユキ)

件名

SiC

ぬれ性

接触角

XPS

MOSキャパシタ

ショットキーバリアダイオード