α-Al2O3基板上の(Ba,Sr)TiO3薄膜を用いたマイクロ波チューナブルデバイスの形成とその電気特性評価

α-Al2O3基板上の(Ba,Sr)TiO3薄膜を用いたマイクロ波チューナブルデバイスの形成とその電気特性評価

アルファ -Al2O3 キバン ジョウ ノ (Ba,Sr)TiO3 ハクマク オ モチイタ マイクロハ チューナブル デバイス ノ ケイセイ ト ソノ デンキ トクセイ ヒョウカ

小野寺亮

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2010.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R007677

2

  • [MS]2010(5)

禁帯出

詳細情報

刊年

2010

別書名

Fabrication and Characterization of MicrowaveTunable Device using (Ba,Sr)TiO3 Thin Films on α-Al2O3

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2010年3月

注記

学位記番号: 修第4812号

学位授与年月日: 2010/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0831024

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

小野寺, 亮 (オノデラ, リョウ)

件名

BST

Tunable device

sputter

Electron beam lithography