無転位シリコンカーバイド結晶成長の研究

無転位シリコンカーバイド結晶成長の研究

ムテンイ シリコン カーバイド ケッショウ セイチョウ ノ ケンキュウ

研究代表者畑山智亮

[生駒] : [奈良先端科学技術大学院大学], 2008-2010

学内論文

巻号情報

全4件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • KAKENS

R008686

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1

  • KAKENJ

R008824

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  • KAKENJ

R007941

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  • KAKENJ

R007248

詳細情報

刊年

2008-2010

別書名

Research of dislocation-free silicon-carbide growth

科学研究費補助金実績報告書

科学研究費補助金(基盤研究(C))実績報告書

平成20年度科学研究費補助金(基盤研究(C))実績報告書

平成21年度科学研究費補助金(基盤研究(C))実績報告書

平成22年度科学研究費補助金(基盤研究(C))実績報告書

科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書

平成20年度-平成22年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書

シリーズ名

科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書 ; 平成20-22年度

注記

課題番号: 20560301

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

畑山, 智亮 (ハタヤマ, トモアキ)

件名

炭化珪素

シリコンカーバイド

転位

エッチング

半導体

番号

KAKEN : 20560301