GaAs(110)基板上面発光半導体レーザの作製と光励起円偏光発振

GaAs(110)基板上面発光半導体レーザの作製と光励起円偏光発振

GaAs(110) キバン ジョウメン ハッコウ ハンドウタイ レーザ ノ サクセイ ト ヒカリ レイキ エン ヘンコウ ハッシン

藤野寛之

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2009.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R006946

2

  • [MS]2009(13)

禁帯出

詳細情報

刊年

2009

別書名

Fabrication of vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs(110) substrates and their circularly polarized lasing under optical spin injection

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2009年3月

注記

学位記番号: 修第4518号

学位授与年月日: 2009/03/24

学位の種類: 修士(工学)

学生番号: 0731076

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

藤野, 寛之 (フジノ, ヒロシ)

件名

面発光半導体レーザ

円偏光レーザ発振

スピンデバイス

電子スピンダイナミクス

GaAs(110)

分子線エピタキシー法