次世代強誘電体薄膜メモリ応用に向けた強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の液体供給MOCVD成膜に関する研究

次世代強誘電体薄膜メモリ応用に向けた強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の液体供給MOCVD成膜に関する研究

ジセダイ キョウユウデンタイ ハクマク メモリ オウヨウ ニ ムケタ キョウユウデンタイ Pb(Zr,Ti)O3 ハクマク ノ エキタイ キョウキュウ MOCVD セイマク ニ カンスル ケンキュウ

王谷洋平

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2006.3

学位論文

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1

R004077

2

  • [MS]2006

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1

  • Abstract

R004908

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詳細情報

刊年

2006

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2006年3月

注記

学位記番号: 博第576号

報告番号: 甲第576号

授与年月日: 2006/03/24

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0341004

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

王谷, 洋平 (オウタニ, ヨウヘイ)

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