高密度励起された半導体中の電子正孔BCS状態におけるエネルギーバンドの異方性と電子正孔有効質量差の効果

高密度励起された半導体中の電子正孔BCS状態におけるエネルギーバンドの異方性と電子正孔有効質量差の効果

コウミツド レイキ サレタ ハンドウタイ チュウ ノ デンシ セイコウ BCS ジョウタイ ニ オケル エネルギー バンド ノ イホウセイ ト デンシ セイコウ ユウコウ シツリョウサ ノ コウカ

溝尾数雅

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.6

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R004075

2

  • [MS]2005

禁帯出

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R004846

詳細情報

刊年

2005

別書名

Effects of energy-band anisotropy and effective mass difference in electron-hole BCS state in highly photoexcited semiconductors

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2005年6月

注記

学位記番号: 博第514号

報告番号: 甲第514号

授与年月日: 2005/06/28

学位の種類: 博士(理学)

学生番号: 0141017

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

溝尾, 数雅 (ミゾオ, カズマサ)

件名

電子正孔BCS状態

電子正孔有効質量差

エネルギーバンドの異方性

高密度電子正孔多体系

平均場近似