Siナノクリスタルのサイズと成長領域の制御に関する研究

Siナノクリスタルのサイズと成長領域の制御に関する研究

Si ナノ クリスタル ノ サイズ ト セイチョウ リョウイキ ノ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ

中間勇二

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2005.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003490

2

  • [MS]2005(12)

禁帯出

詳細情報

刊年

2005

別書名

Research on control of the growth domain and the size of a silicon nano crystal

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2005年3月

注記

学位記番号: 修第3113号

授与年月日: 2005/03/24

学生番号: 0331058

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

中間, 勇二 (ナカマ, ユウジ)

件名

シリコンナノクリスタル

イオン注入法

レーザアニール

結晶核形成

イオン注入用マスク

イオン広がり