選択エピタキシャル成長技術とそのMOSデバイスへの応用に関する研究

選択エピタキシャル成長技術とそのMOSデバイスへの応用に関する研究

センタク エピタキシャル セイチョウ ギジュツ ト ソノ MOS デバイス エノ オウヨウ ニカンスル ケンキュウ

中畑匠

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2003.9

学位論文

メールで送信

宛先

件名

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003192

2

  • [MS]2003

禁帯出

メールで送信

宛先

件名

要旨
要旨
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R004679

メールで送信

宛先

件名

巻号情報へ戻る

詳細情報

刊年

2003

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2003年9月

注記

学位記番号: 博第347号

報告番号: 甲第347号

授与年月日: 2003/09/30

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 0241203

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

中畑, 匠 (ナカハタ, タクミ)

ブックマークを編集

リストを選択

メモ

リストを選択

ブックマークに登録

リストを選択

指定なし

メモ