極薄ゲート絶縁膜Si電界効果トランジスタにおけるホットキャリア効果と界面物性

極薄ゲート絶縁膜Si電界効果トランジスタにおけるホットキャリア効果と界面物性

ゴクハク ゲート ゼツエンマク Si デンカイ コウカ ト トランジスタ ニ オケル ホット キャリア コウカ ト カイメン ブッセイ

本田博幸

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2004.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R003137

2

  • [MS]2004(17)

禁帯出

詳細情報

刊年

2004

別書名

Hot carrier effect and electronic interface properties in Si MOSFET with ultra-thin gate oxide

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科修士論文 ; 2004年3月

注記

学位記番号: 修第2789号

授与年月日: 2004/03/24

学生番号: 0331079

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

本田, 博幸 (ホンダ, ヒロユキ)

件名

LSI

Hot carrier

Ultra-thin gate oxide

Photoemission

Substrate current