CWレーザー結晶化による低温単結晶SOI構造の形成と薄膜トランジスタ特性に関する研究

CWレーザー結晶化による低温単結晶SOI構造の形成と薄膜トランジスタ特性に関する研究

CW レーザー ケッショウ カ ニ ヨル テイオン タンケッショウ SOI コウゾウ ノ ケイセイ ト ハクマク トランジスタ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ

髙山智之

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2025.9

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R019790

詳細情報

刊年

2025

別書名

Study on Formation of Low-Temperature Single-Crystal SOI Structure by CW Laser Crystallization and Thin Film Transistor Characteristics

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2025年9月

注記

学位記番号: 2200

報告番号: 甲第2200号

学位授与年月日: 2025/09/30

学位の種類: 博士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

髙山, 智之 (タカヤマ, サトシ)

件名

薄膜トランジスタ

結晶成長

レーザー結晶化

低温ポリシリコン薄膜