Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation

Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation

武田悠二郎

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.9

学位論文

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詳細情報

刊年

2023

別書名

トップゲート型酸化物半導体薄膜トランジスタ開発及び光誘起信頼性劣化メカニズム分析

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2023年9月

注記

学位記番号: 博第2009号

報告番号: 甲第2009号

学位授与年月日: 2023/09/30

学位の種類: 博士（工学）

博士論文公表延期中のため、本文に代えて要約を公表中

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

武田, 悠二郎 (タケダ, ユウジロウ)

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