原子層堆積法を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製およびキャリア密度制御

原子層堆積法を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製およびキャリア密度制御

ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイタ サンカ インジウム ハクマク トランジスタ ノ サクセイ オヨビ キャリア ミツド セイギョ

川戸勇人

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2023.3

学位論文

巻号情報

全1件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R018302

詳細情報

刊年

2023

別書名

Carrier Control of In2O3 TFT Fabricated by Atomic Layer Deposition

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2023年3月

注記

学位記番号: 修第9320号

学位授与年月日: 2023/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

川戸, 勇人 (カワト, ユウト)

件名

酸化物半導体

薄膜トランジスタ