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Fermi level engineering of solution-processed amorphous ultra-wide bandgap semiconductor towards transparent thin-film transistors

Fermi level engineering of solution-processed amorphous ultra-wide bandgap semiconductor towards transparent thin-film transistors

Purnawati Diki

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2022.9

Thesis / Diss.

Volume No.

Total: 2
No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

R018045

No. Printing year Location Call Number Material ID Circulation class Status Waiting

1

  • Abstract

R018082

Details

Publication year

2022

Alternative title

透明薄膜トランジスタに向けた溶液プロセスアモルファスウルトラワイドバンドギャップ半導体のフェルミ準位エンジニアリング

Series title

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科博士論文 ; 2022年9月

Note

学位記番号: 博第1916号

報告番号: 甲第1916号

学位授与年月日: 2022/09/30

学位の種類: 博士(工学)

Country of publication

Japan

Title language

English (eng)

Language of texts

English (eng)

Author information

Diki, Purnawati

Subject

Ultra-wide bandgap material

Solution-processed

Thin-film transistor

Fermi level engineering