詳細情報

刊年

2021

別書名

SiCパワーMOSFETのスイッチング動作下におけるBTI起因しきい値電圧変動の測定

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科修士論文 ; 2021/3/1

注記

学位記番号: 修第8460号

学位授与年月日: 2021/03/31

学位の種類: 修士(工学)

標題言語

英語 (eng)

本文言語

英語 (eng)

著者情報

上田, 葵 (ウエダ, アオイ) [ Ueda, Aoi ]

件名

Silicon carbide

Power MOSFET

Bias temperature instability

Reliability