アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電気的欠陥が信頼性に与える影響に関する研究

アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電気的欠陥が信頼性に与える影響に関する研究

アモルファス サンカブツ ハンドウタイ In-Ga-Zn-O ハクマク トランジスタ ニ オケル デンキテキ ケッカン ガ シンライセイ ニ アタエル エイキョウ ニ カンスル ケンキュウ

越智元隆

生駒 : 奈良先端科学技術大学院大学, 2018.3

学位論文

巻号情報

全2件
No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

R014317

No. 刷年 所在 請求記号 資料ID 貸出区分 状況 予約人数

1

  • Abstract

R014399

詳細情報

刊年

2018

別書名

Study on Electrical Defects in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor Reliability

シリーズ名

奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科博士論文 ; 2018年3月

注記

学位記番号: 博第1558号

報告番号: 甲第1558号

学位授与年月日: 2018/03/23

学位の種類: 博士(工学)

学生番号: 1641003

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

著者情報

越智, 元隆 (オチ, モトタカ)

件名

薄膜トランジスタ

In-Ga-Zn-O

電気的欠陥

PITS

ストレス信頼性